2-2 Revision 13 Table 2-2 Recommended Operating Conditions
參數(shù)資料
型號(hào)： M1A3PE1500-2FG676I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 68/162頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 1.5M 676-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 40
系列： ProASIC3E
RAM 位總計(jì)： 276480
輸入/輸出數(shù)： 444
門數(shù)： 1500000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 676-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 676-FBGA（27x27）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)當(dāng)前第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)
ProASIC3E DC and Switching Characteristics
2-2
Revision 13
Table 2-2 Recommended Operating Conditions 1
Symbol
Parameter
Commercial
Industrial
Units
TA
Ambient temperature
0 to +70
–40 to +85
°C
TJ
Junction temperature
0 to +85
–40 to +100
°C
VCC
1.5 V DC core supply voltage
1.425 to 1.575
V
VJTAG
JTAG DC voltage
1.4 to 3.6
V
VPUMP
Programming voltage
Programming Mode2
3.15 to 3.45
V
Operation3
0 to 3.6
V
VCCPLL
Analog power supply (PLL)
1.425 to 1.575
V
VCCI and VMV 4 1.5 V DC supply voltage
1.425 to 1.575
V
1.8 V DC supply voltage
1.7 to 1.9
V
2.5 V DC supply voltage
2.3 to 2.7
V
3.3 V DC supply voltage
3.0 to 3.6
V
3.0 V DC supply voltage5
2.7 to 3.6
V
LVDS/B-LVDS/M-LVDS differential I/O
2.375 to 2.625
V
LVPECL differential I/O
3.0 to 3.6
V
Notes:
1. All parameters representing voltages are measured with respect to GND unless otherwise specified.
2. The programming temperature range supported is Tambient = 0°C to 85°C.
3. VPUMP can be left floating during normal operation (not programming mode).
4. The ranges given here are for power supplies only. The recommended input voltage ranges specific to each I/O
standard are given in Table 2-13 on page 2-16. VMV and VCCI should be at the same voltage within a given I/O bank.
VMV pins must be connected to the corresponding VCCI pins. See the "VMVx I/O Supply Voltage (quiet)" section on
page 3-1 for further information.
5. To ensure targeted reliability standards are met across ambient and junction operating temperatures, Microsemi
recommends that the user follow best design practices using Microsemi’s timing and power simulation tools.
6. 3.3 V wide range is compliant to the JESD8-B specification and supports 3.0 V VCCI operation.
Table 2-3 Flash Programming Limits – Retention, Storage and Operating Temperature 1
Product Grade
Programming
Cycles
Program Retention
(biased/unbiased)
Maximum Storage
Temperature TSTG (°C) 2
Maximum Operating Junction
Temperature TJ (°C) 2
Commercial
500
20 years
110
100
Industrial
500
20 years
110
100
Notes:
1. This is a stress rating only; functional operation at any condition other than those indicated is not implied.
2. These limits apply for program/data retention only. Refer to Table 2-1 on page 2-1 and Table 2-2 for device operating
conditions and absolute limits.
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