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參數(shù)資料
| 型號： | M13S64164A-5TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 37/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1526K |
| 代理商： | M13S64164A-5TG |
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ES MT
Preliminary
M13S64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 0.3 37/49
Write with Auto Precharge (@BL=8)
Note 1.
The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of another activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S64164A-6TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M14256 | Memory Card IC 256K Bit Serial IIC Bus EEPROM(256K位串行IIC總線EEPROM) |
| M145026 | REMOTE CONTROL ENCODER/DECODER CIRCUIT |
| M145026B1 | REMOTE CONTROL ENCODER/DECODER CIRCUIT |
| M145026D | REMOTE CONTROL ENCODER/DECODER CIRCUIT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M13S64164A-5TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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