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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M13S32321A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 256K × 32位× 4個(gè)銀行雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/49頁(yè) |
| 文件大小： | 769K |
| 代理商： | M13S32321A |
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ES MT
M13S32321A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Sep. 2006
Revision : 1.0 8/49
PRECHARGE command
period
t
RP
4
-
4
-
t
CK
ACTIVE to READ with
AUTOPRECHARGE
command
t
RAP
18
120K
18
120K
ns
ACTIVE bank A to ACTIVE
bank B command
t
RRD
2
-
2
-
t
CK
Write recovery time
t
WR
2
-
2
-
t
CK
Write data in to READ
command delay
t
WTR
2
-
2
-
t
CK
Col. Address to Col. Address
delay
t
CCD
1
-
1
-
t
CK
Average periodic refresh
interval
t
REFI
-
7.8
-
7.8
us
Write preamble
t
WPRE
0.25
-
0.25
-
t
CK
Write postamble
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
DQS read preamble
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
t
CK
DQS read postamble
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
Clock to DQS write preamble
setup time
t
WPRES
0
-
0
-
ns
Load Mode Register /
Extended Mode register
cycle time
t
MRD
2
-
2
-
t
CK
Exit self refresh to READ
command
t
XSRD
200
-
200
-
t
CK
Exit self refresh to
non-READ command
t
XSNR
75
-
75
-
ns
Autoprecharge write
recovery+Precharge time
t
DAL
(t
WR
/t
CK
)
+
(t
RP
/t
CK
)
(t
WR
/t
CK
)
+
(t
RP
/t
CK
)
t
CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S64164A-6BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6TG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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