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參數(shù)資料
| 型號： | M13S128168A-5T |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 200萬× 16位× 4個銀行雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1513K |
| 代理商： | M13S128168A-5T |
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ES MT
M13S128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jun. 2007
Revision : 1.8 4/49
60 Ball BGA
V
SSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
V
REF
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
DQ15
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SS
CLK
NC
A11
A8
A6
A4
V
SS
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CLK
CKE
A9
A7
A5
V
SS
V
DDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
V
DD
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
WE
RAS
BA1
A0
A2
V
DD
DQ0
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DD
CAS
CS
BA0
A10/AP
A1
A3
1
2
3
7
8
9
Pin Description
(M13S128168A)
Pin Name
Function
Pin Name
Function
A0~A11,
BA0,BA1
Address inputs
- Row address A0~A11
- Column address A0~A8
A10/AP : AUTO Precharge
BA0, BA1 : Bank selects (4 Banks)
LDM, UDM
DM is an input mask signal for write
data. LDM corresponds to the data
on DQ0~DQ7; UDM correspond to
the data on DQ8~DQ15.
DQ0~DQ15
Data-in/Data-out
CLK, CLK
Clock input
RAS
Row address strobe
CKE
Clock enable
CAS
Column address strobe
CS
Chip select
WE
V
SS
Write enable
V
DDQ
Supply Voltage for GDQ
Ground
V
SSQ
Ground for DQ
V
DD
Power
V
REF
Reference Voltage for SSTL-2
LDQS, UDQS
Bi-directional Data Strobe. LDQS
corresponds to the data on DQ0~DQ7;
UDQS correspond to the data on
DQ8~DQ15.
NC
No connection
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S128168A-5TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-6BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-6T | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-6TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-7.5AB | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M13S128168A-5TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-6T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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