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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12S64322A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 32位× 4個(gè)銀行同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/46頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 746K |
| 代理商： | M12S64322A |
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ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
7/46
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 2.5V
±
0.2V
，
T
A
= 0 to 70° )
Parameter
Value
Unit
Input levels (Vih/Vil)
0.9 * V
DDQ
/ 0.2
V
Input timing measurement reference level
0.5 * V
DDQ
V
Input rise and fall-time
tr/tf = 1/1
ns
Output timing measurement reference level
0.5 * V
DDQ
V
Output load condition
See Fig. 2
(Fig. 1) DC Output Load Circuit
(Fig. 2) AC Output Load Circuit
OPERATING AC PARAMETER
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Version
Parameter
Symbol
-6
-7
Unit
Note
Row active to row active delay
t
RRD(min)
12
14
ns
1
RAS to CAS delay
t
RCD(min)
18
20
ns
1
Row precharge time
t
RP(min)
18
20
ns
1
t
RAS(min)
42
42
ns
1
Row active time
t
RAS
(max)
100
us
Row cycle time
@ Operating
t
RC(min)
60
63
ns
1
Last data in to col. address delay
t
CDL(min)
1
CLK
2
Last data in to row precharge
t
RDL(min)
2
CLK
2
Last data in to burst stop
t
BDL(min)
1
CLK
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M13S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S64322A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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