- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377801 > M12S64322A-7TG (ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC) 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | M12S64322A-7TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86 |
| 文件頁數： | 25/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 746K |
| 代理商： | M12S64322A-7TG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
25/46
12. About Burst Type Control
Sequential Counting
Interleave Counting
At MRS A3 = “0”. See the BURST SEQUENCE TABLE. (BL = 4,8)
BL = 1, 2, 4, 8 and full page.
Basic
MODE
At MRS A3 = “1”. See the BURST SEQUENCE TABLE. (BL = 4,8)
BL = 4, 8 At BL =1, 2 interleave Counting = Sequential Counting
Random
MODE
Random Column Access
t
CCD
= 1 CLK
Every cycle Read/Write Command with random column address can realize Random
Column Access.
That is similar to Extended Data Out (EDO) Operation of conventional DRAM.
13. About Burst Length Control
1
At MRS A210 = “000”
At auto precharge . tRAS should not be violated.
2
At MRS A210 = “001”
At auto precharge . tRAS should not be violated.
4
At MRS A210 = “010”
8
At MRS A210 = “011”
Basic
MODE
Full Page
At MRS A210 = “111”
At the end of the burst length , burst is warp-around.
t
BDL
= 1, Valid DQ after burst stop is 1, 2 for CAS latency 2, 3 respectively.
Using burst stop command, any burst length control is possible.
Random
MODE
Burst Stop
RAS Interrupt
(Interrupted by
Precharge)
Before the end of burst. Row precharge command of the same bank stops read /write burst
with auto precharge.
t
RDL
= 1 with DQM , Valid DQ after burst stop is 1, 2 for CAS latency 2, 3 respectively.
During read/write burst with auto precharge, RAS interrupt can not be issued.
Interrupt
MODE
CAS Interrupt
Before the end of burst, new read/write stops read/write burst and starts new read/write
burst.
During read/write burst with auto precharge, CAS interrupt can not be issued.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5T | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-6BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M12SW | 功能描述:測試接頭 Modular Oscilloscope RoHS:否 制造商:Murata 連接器類型: 設備類型: 顏色: 觸點材料: |
| M12T-04BFFB-SL7002 | 功能描述:CONN PLUG FMALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插頭，母型插口 針腳數:4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護:IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:底殼，聯(lián)接螺母 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標準包裝:10 |
| M12T-04BMMB-SL7002 | 功能描述:CONN RCPT MALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插座，公形引腳 針腳數:4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護:IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:后殼 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標準包裝:10 |
| M12T-04PFFS-SF8B15 | 功能描述:CBL FMALE TO WIRE LEAD 4POS 制造商:amphenol ltw 系列:- 零件狀態(tài):在售 第一連接器:M12 母頭 第二連接器:電線引線 針腳數:4 加載的針腳數:全部 長度:0.49'（150.00mm） 電纜類型:單條 顏色:多個 屏蔽:屏蔽 使用:工業(yè)環(huán)境 - IP68，面板安裝 標準包裝:1 |
| M12T-04PFFS-SH8B15 | 功能描述:CBL FMALE TO WIRE LEAD 4POS 制造商:amphenol ltw 系列:- 零件狀態(tài):在售 第一連接器:M12 母頭 第二連接器:電線引線 針腳數:4 加載的針腳數:全部 長度:0.49'（150.00mm） 電纜類型:單條 顏色:多個 屏蔽:屏蔽 使用:工業(yè)環(huán)境 - IP68，面板安裝 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。