參數(shù)資料
型號： LZ1418E100R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-443A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： LZ1418E100R
1997 Feb 18
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LZ1418E100R
Fig.4 Wideband test circuit board for 1.4 to1.8 GHz, CW class A application.
Dimensions in mm.
Substrate: Epsilam printed-circuit board.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MGK059
10
6
16
0.65
0.65
3
5
100 pF
ATC
output
50
input
50
VBB
VCC
ferrite
bead
4
3
3
6
5
6
2
6
1.5
2.5
100 pF
ATC
Fig.5
Load power as a function of frequency;
typical values.
V
CE
= 16 V; I
C
= 2 A (regulated); T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
1.3
1.6
PL1
(W)
1.9
5
f (GHz)
10
MGL010
Fig.6
Linear power gain as a function of
frequency; typical values.
V
CE
= 16 V; I
C
= 2 A (regulated); T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
1.3
1.6
1.9
5
10
Gpo
(dB)
MGD982
f (GHz)
相關PDF資料
PDF描述
LZ1440 Interface IC
LZ2018 Linear CCD Image Array
LZ2019 Linear CCD Image Array
LZ2111J Area CCD Image Array
LZ2112J Area CCD Image Array
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
LZ1418E100R,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
LZ1440 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Interface IC
LZ15V 制造商:YEASHIN 制造商全稱:YEASHIN 功能描述:500 mW LL-34 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators
LZ16V 制造商:YEASHIN 制造商全稱:YEASHIN 功能描述:500 mW LL-34 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators
LZ-18 功能描述:通用繼電器 POWER RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點形式:1 Form A (SPST-NO) 觸點電流額定值:150 A 線圈電壓:24 VDC 線圈電阻:144 Ohms 線圈電流:167 mA 切換電壓:400 V 安裝風格:Chassis 觸點材料:
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