參數(shù)資料
型號： LX7001IDMT
廠商： MICROSEMI CORP-ANALOG MIXED SIGNAL GROUP
元件分類： 電源管理
英文描述： 800mA, Low-Voltage, DC-DC Step-Up Converter, Logic-High On - TDFN-10
中文描述： 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
封裝： PLASTIC, SOIC-8
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 137K
代理商： LX7001IDMT
T
RANSIENT
I
MMUNE
U
NDERVOLTAGE
S
ENSING
C
IRCUIT
LX 7001
PRODUCT DATABOOK 1 9 9 6 / 1 9 9 7
7
Copyright 1999
Rev. 1.2 6/99
P
R O D U C T I O N
D
A T A
S
H E E T
C H A R A C T E R I S T I C C U R V E S
FIGURE 10.
— VOLTAGE vs. CLAMP DIODE FORWARD
CURRENT
0
0
1000
(I
SINK
) Low Level Output Current - (mA)
(
O
)
500
1500
2000
10
20
30
40
V
IN
= 4V
-55 C
125 C
25 C
0
40
100
0.5
0.8
(I
F
) Forward Current - (mA)
1.2
(
F
)
0.7
0.9
1
20
60
80
RESET = 0V
10
30
50
70
90
1.1
0.6
-55 C
-40 C
125 C
85 C
25 C
0
6
16
0
6.0
(t) Time - ( s)
5.5
V
I
4.0
4.0
4.5
2
10
T
A
= 25 C
4
8
12
14
5.0
2.0
REF
10K
RESET
5V
4V
V
IN
-55
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
30
(T
J
) Temperature - ( C)
80
(
O
)
20
40
50
10
60
70
V
IN
= 1V
I
SINK
= 100 A
FIGURE 12.
— LOW LEVEL OUTPUT VOLTAGE
vs. TEMPERATURE
FIGURE 11.
— PROPAGATION DELAY
FIGURE 9.
— LOW LEVEL OUTPUT VOLTAGE
vs. LOW LEVEL OUTPUT CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LX7001CLP TRANSIENT IMMUNE UNDERVOLTAGE SENSING CIRCUIT
LX7001IDM TRANSIENT IMMUNE UNDERVOLTAGE SENSING CIRCUIT
LX7001ILP TRANSIENT IMMUNE UNDERVOLTAGE SENSING CIRCUIT
LX7001MY TRANSIENT IMMUNE UNDERVOLTAGE SENSING CIRCUIT
LX703 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
LX7001ILP 功能描述:IC CIRCUIT UNDERVOLT SENSOR TO92 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監(jiān)控器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:簡單復(fù)位/加電復(fù)位 監(jiān)視電壓數(shù)目:1 輸出:開路漏極或開路集電極 復(fù)位:低有效 復(fù)位超時:標(biāo)準(zhǔn)傳輸延遲為 60 µs 電壓 - 閥值:3V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-5 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:LM8364BALMF30DKR
LX7001IPK 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Voltage Detector
LX7001MY 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT IMMUNE UNDERVOLTAGE SENSING CIRCUIT
LX7001MYT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Voltage Detector
LX703 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
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