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參數(shù)資料
| 型號： | LV2327E40R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | LV2327E40R |
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LV2327E40R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
At 0.3 mm from the case.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
CER
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
open base
R
BE
= 47
open collector
65
40
15
20
3
2
18
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
≤
75
°
C
t
≤
10 s; note 1
MAINTENANCE TYPE - NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SEE INDEX SECTION OF SC15
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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