參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1157CN8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver
中文描述： 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8
封裝： PLASTIC, DIP-8
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 221K
代理商： LTC1157CN8
7
LTC1157
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tation that the interconnection of its circuits as described herein will not infringe on existing patent rights.
TYPICAL APPLICATIU
Ultra Low Voltage Drop Battery Switch with Reverse Battery
Protection, Ramped Output and 3
μ
A Standby Current
Generating 3.3V and 5V from a 3.3V or 5V Source
(Automatic Switching)
1
2
3
4
7,8
2
5,6
4
3
1
5,6
7,8
5V/150mA
3.3V/150mA
Si9956DY
Si9956DY
+
MBRS12OT3
+
V
IN
GND
FB
SW2
SET
AO
LT1111
I
LIM
SW1
2N7002
*20
μ
H
120
μ
F/10V
*20
μ
H
100
μ
F
6V
140k
1%
174k
1%
105k
1%
ZTX869-M1
47
39
1M
1
2
3
4
8
5
6
7
430k
+
180
μ
F
6V
2N7002
1M
1M
3.3V OR 5V
V
S
GND
G2
G1
IN2
IN1
LTC1157
*CTX20-3 COILTRONICS
LTC1157 TA07
V
S
GND
G2
G1
IN2
IN1
LTC1157
CONTROL
LOGIC
OR
μ
P
0.47
μ
F
LTC1157 TA06
+
3 TO 4
CELL
BATTERY
PACK
300
0.1
μ
F
1k
100k
1
2
4
3
5,6,7,8
Si9956DY
+
100
μ
F
6.3V
SWITCHED (RAMPED)
BATTERY
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1157CS8 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver
LTC1159-3.3 50/125 PVC SC-SC 10M DUPLEX ASSEM
LTC1159CS-5 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
LTC1159CG-3.3 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
LTC1159CG-5 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1157CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER 3.3V DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1157CS8 功能描述:IC MOSFET DRIVER 3.3V DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1157CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER 3.3V DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1157CS8#TR 功能描述:IC DRIVER MOSFET 3.3V DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1157CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER 3.3V DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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