參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1156C
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
中文描述： 四高端微MOSFET驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電荷泵
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： LTC1156C
7
LTC1156
4-Phase Stepper Motor Driver with Short-Circuit Protection
Full H-Bridge Driver with Short-Circuit Protection and 16
μ
A Standby Current
Low Frequency Operation (<100Hz)
For more Typical Applications, see LTC1155 data sheet.
5V
0.1
μ
F
100k
0.05
1156 TA06
* STR101G TECHNO (818) 781-1642
** SOFTWARE (OR HARDWARE) DELAYS SHOULD BE PROVIDED TO AVOID
CROSS-CONDUCTION. ALL COMPONENTS SHOWN ARE SURFACE MOUNT.
**
CONTROL
LOGIC
OR
μ
P
+
10
μ
F
Si9956DY
Si9956DY
V
S
V
S
DS1
DS2
DS3
DS4
IN1
IN2
IN3
IN4
G1
G2
G3
G4
GND GND
LTC1156
0.1
μ
F
0.05
LOAD
100k
6V
V
S
V
S
DS1
DS2
DS3
DS4
IN1
IN2
IN3
IN4
G1
G2
G3
G4
CONTROL
LOGIC
+
10
μ
F
5V
0.01
μ
F
30k
0.05
A
B
C
D
1156 TA05
2A MAX
Si9956DY
Si9956DY
GND GND
* STR101G TECHNO (818) 781-1642
LTC1156
1N4001
1N4001
1N4001
1N4001
U
S
A
O
PPLICATI
TYPICAL
Information furnished by Linear Technology Corporation is believed to be accurate and reliable.
However, no responsibility is assumed for its use. Linear Technology Corporation makes no represen-
tation that the interconnection of circuits as described herein will not infringe on existing patent rights.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1156 Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1156CN Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1156CS Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1157C 3.3V Dual Micropower High-Side/Low-Side MOSFET Driver
LTC1157 Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs 20-SO 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1156CN 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LTC1156CN#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LTC1156CS 制造商:LINER 制造商全稱(chēng):Linear Technology 功能描述:Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1156CSW 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LTC1156CSW#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*