參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1156C
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
中文描述： 四高端微MOSFET驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電荷泵
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： LTC1156C
3
LTC1156
The
G
denotes specifications which apply over the full operating
temperature range.
Note 1:
Both V
S
pins (3 and 8) must be connected together, and both
ground pins (1 and 6) must be connected together.
Note 2:
Quiescent current OFF is for all channels in OFF condition.
Note 3:
Quiescent current ON is per driver and is measured independently.
C
HARA TERISTICS
U
A
TYPICAL PERFOR
CE
Standby Supply Current
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
4
V
G
S
6
10
12
14
24
18
5
10
LTC1156 G03
8
20
22
16
15
20
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
S
μ
A
100
300
400
500
1000
700
5
10
1156 G02
200
800
900
600
15
20
ONE INPUT = ON
OTHER INPUTS = OFF
T
J
= 25°C
Supply Current per Channel ON
High Side Gate Voltage
Standby Supply Current
Supply Current per Channel ON
Low Side Gate Voltage
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
V
G
18
24
30
8
1158 G06
12
6
0
2
4
6
10
27
21
15
9
3
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
S
μ
A
10
30
40
50
100
70
5
10
LTC1156 G01
20
80
90
60
15
20
V
IN1
= V
IN2
= V
IN3
= V
IN4
= 0V
T
J
= 25°C
TEMPERATURE (°C)
–50
0
S
μ
A
10
30
40
50
100
70
0
50
75
1156 G04
20
80
90
60
25
25
100
125
V
S
= 18V
V
S
= 5V
V
IN1
= V
IN2
= V
IN3
= V
IN4
= 0V
TEMPERATURE (°C)
–50
0
S
μ
A
100
300
400
500
1000
700
0
50
75
1156 G05
200
800
900
600
25
25
100
125
V
S
= 18V
V
S
= 5V
ONE INPUT = ON
OTHER INPUTS = OFF
V
S
= 4.5V to 18V, T
A
= 25
°
C, unless otherwise noted.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
t
OFF
Turn-OFF Time
V
S
= 5V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
< 1V
V
S
= 12V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
< 1V
V
S
= 5V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
< 1V
V
S
= 12V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
< 1V
10
36
60
μ
s
10
26
60
μ
s
t
SC
Short Circuit Turn-OFF Time
5
16
30
μ
s
5
16
30
μ
s
ELECTRICAL C
HARA TERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1156 Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
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LTC1156CS Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
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參數(shù)描述
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LTC1156CN#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LTC1156CS 制造商:LINER 制造商全稱(chēng):Linear Technology 功能描述:Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1156CSW 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LTC1156CSW#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
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