參數(shù)資料
型號： LT1162IN
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
中文描述： 1.5 A FULL BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
文件頁數(shù)： 14/16頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： LT1162IN
14
LT1160/LT1162
PACKAGE DESCRIPTIO
N
U
Dimensions in inches (millimeters) unless otherwise noted.
N14 0695
0.015
(0.380)
MIN
0.125
(3.175)
MIN
0.130
±
0.005
(3.302
±
0.127)
0.045 – 0.065
(1.143 – 1.651)
0.065
(1.651)
TYP
0.018
±
0.003
(0.457
±
0.076)
0.100
±
0.010
(2.540
±
0.254)
0.005
(0.125)
MIN
0.255
±
0.015*
(6.477
±
0.381)
0.770*
(19.558)
MAX
3
1
2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0.009 – 0.015
(0.229 – 0.381)
0.300 – 0.325
(7.620 – 8.255)
0.325–0.015
+0.635
–0.381
8.255
(
)
*THESE DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS.
MOLD FLASH OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.010 INCH (0.254mm)
N Package
14-Lead PDIP (Narrow 0.300)
(LTC DWG # 05-08-1510)
N24 0695
0.255
±
0.015*
(6.477
±
0.381)
1.265*
(32.131)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
19
11
12
13
14
16
15
17
18
20
21
22
23
24
0.015
(0.381)
MIN
0.125
(3.175)
MIN
0.130
±
0.005
(3.302
±
0.127)
0.065
(1.651)
TYP
0.045 – 0.065
(1.143 – 1.651)
0.018
±
0.003
(0.457
±
0.076)
0.005
(0.127)
MIN
0.100
±
0.010
(2.540
±
0.254)
0.009 – 0.015
(0.229 – 0.381)
0.325–0.015
+0.635
–0.381
0.300 – 0.325
(7.620 – 8.255)
8.255
(
)
*THESE DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS.
MOLD FLASH OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.010 INCH (0.254mm)
N Package
24-Lead PDIP (Narrow 0.300)
(LTC DWG # 05-08-1510)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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LT1160IN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
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參數(shù)描述
LT1162IN#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
LT1162ISW 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1162ISW#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1162ISW#TR 功能描述:IC DRIVER MOSF N-CH DUAL 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1162ISW#TRPBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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