參數(shù)資料
型號(hào)： LT1160IN
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
中文描述： 1.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-14
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 347K
代理商： LT1160IN
4
LT1160/LT1162
TYPICAL PERFOR
M
A
CE CHARACTERISTICS
U
INPUT FREQUENCY (kHz)
1
S
60
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
1160/62 G04
C
GATE
= 10000pF
C
GATE
= 1000pF
50% DUTY CYCLE
V
+
= 12V
C
GATE
= 3000pF
TEMPERATURE (
°
C)
–50
V
B
T
100
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
1160/62 G06
0
–25
25
50
75
125
SHUTDOWN THRESHOLD
START-UP THRESHOLD
V
TSOURCE
= 60V
TEMPERATURE (
°
C)
–50
I
μ
A
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
0
50
75
1160/62 G08
–25
25
100
125
V
+
= 12V
V
IN
= 4V
DC Supply Current
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
S
100
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
1160/62 G02
0
–25
25
50
75
125
BOTH INPUTS
HIGH OR LOW
V
INTOP
= HIGH
V
INBOTTOM
= LOW
V
INTOP
= LOW
V
INBOTTOM
= HIGH
V
+
= 12V
INPUT FREQUENCY (kHz)
1
S
60
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
1160/62 G03
V
+
= 20V
50% DUTY CYCLE
C
GATE
= 3000pF
V
+
= 15V
V
+
= 10V
DC + Dynamic Supply Current
vs Input Frequency
DC Supply Current
vs Supply Voltage
DC + Dynamic Supply Current
vs Input Frequency
TEMPERATURE (
°
C)
–50
S
100
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
1160/62 G05
0
–25
25
50
75
125
SHUTDOWN THRESHOLD
START-UP THRESHOLD
Undervoltage Lockout (V
+
)
Undervoltage Lockout (V
BOOST
)
Input Threshold Voltage
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
I
100
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1160/62 G07
0
–25
25
50
75
125
V
LOW
V
HIGH
V
+
= 12V
INPUT VOLTAGE (V)
4
I
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
8
9
1160/62 G09
5
6
7
10
11
12
V
+
= 12V
Top or Bottom Input Pin Current
vs Input Voltage
(LT1160 or 1/2 LT1162)
SUPPLY VOLTAGE (V)
8
S
20
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
1160/62 G01
12
10
14
16
18
22
BOTH INPUTS
HIGH OR LOW
V
INTOP
= LOW
V
INBOTTOM
= HIGH
V
INTOP
= HIGH
V
INBOTTOM
= LOW
Top or Bottom Input Pin Current
vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1160IS Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
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參數(shù)描述
LT1160IN#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160IS 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160IS#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160IS#TR 功能描述:IC DRIVER PWR MOSFET N-CH 14SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160IS#TRPBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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