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參數(shù)資料
| 型號： | LT1160CN |
| 廠商： | LINEAR TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
| 中文描述： | 1.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-14 |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | LT1160CN |
15
LT1160/LT1162
PACKAGE DESCRIPTIO
N
U
Dimensions in inches (millimeters) unless otherwise noted.
S Package
14-Lead Plastic Small Outline (Narrow 0.150)
(LTC DWG # 05-08-1610)
1
2
3
4
0.150 – 0.157**
(3.810 – 3.988)
14
13
0.337 – 0.344*
(8.560 – 8.738)
0.228 – 0.244
(5.791 – 6.197)
12
11
10
9
5
6
7
8
0.016 – 0.050
0.406 – 1.270
0.010 – 0.020
(0.254 – 0.508)
×
45
°
0
°
– 8
°
TYP
0.008 – 0.010
(0.203 – 0.254)
S14 0695
0.053 – 0.069
(1.346 – 1.752)
0.014 – 0.019
(0.355 – 0.483)
0.004 – 0.010
(0.101 – 0.254)
0.050
(1.270)
TYP
DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. MOLD FLASH
SHALL NOT EXCEED 0.006" (0.152mm) PER SIDE
DIMENSION DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH. INTERLEAD
FLASH SHALL NOT EXCEED 0.010" (0.254mm) PER SIDE
*
**
Information furnished by Linear Technology Corporation is believed to be accurate and reliable.
However, no responsibility is assumed for its use. Linear Technology Corporation makes no represen-
tation that the interconnection of its circuits as described herein will not infringe on existing patent rights.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LT1162 | Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
| LT1162CN | Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
| LT1162CSW | Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
| LT1162IN | Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers |
| LT1162ISW | Dual 1-of-4 Data Selectors/Multiplexers With 3-State Outputs 16-SOIC 0 to 70 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| LT1160CS | 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LT1160CS#PBF | 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
| LT1160CS#TR | 功能描述:IC DRIVER PWR MOSFET N-CH 14SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LT1160CS#TRPBF | 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
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