參數(shù)資料
型號(hào)： LT1158IS
廠(chǎng)商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
中文描述： 15 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO16
封裝： PLASTIC, SOL-16
文件頁(yè)數(shù)： 2/20頁(yè)
文件大?。?/td> 426K
代理商： LT1158IS
LT1158
2
ORDER PART
NUMBER
LT1158CN
LT1158IN
LT1158CS
LT1158IS
θ
JA
= 70
°
C/W
θ
JA
= 110
°
C/W
TOP VIEW
S PACKAGE
16-LEAD PLASTIC SOL
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOST DR
V
+
BIAS
ENABLE
FAULT
INPUT
GND
B GATE FB
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
SENSE
+
SENSE
–
V
+
B GATE DR
1
2
3
4
5
6
7
8
TOP VIEW
N PACKAGE
16-LEAD PLASTIC DIP
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOST DR
V
+
BIAS
ENABLE
FAULT
INPUT
GND
B GATE FB
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
SENSE
+
SENSE
–
V
+
B GATE DR
LT1158I
MIN
LT1158C
TYP
2.2
7
13
3
1.4
5
1.15
1.5
25
11
43
14.5
14.5
SYMBOL
I
2
+ I
10
PARAMETER
DC Supply Current (Note 2)
CONDITIONS
V
+
= 30V, V16 = 15V, V4 = 0.5V
V
+
= 30V, V16 = 15V, V6 = 0.8V
V
+
= 30V, V16 = 15V, V6 = 2V
V
+
= V13 = 30V, V16 = 45V, V6 = 0.8V
TYP
2.2
7
13
3
1.4
5
1.15
1.5
25
11
43
14.5
14.5
MAX
3
10
18
4.5
2
15
1.4
1.7
35
MIN
MAX
3
10
18
4.5
2
15
1.4
1.8
35
UNITS
mA
mA
mA
mA
4.5
8
4.5
8
I
16
V6
I
6
V4
V4
I
4
V15
Boost Current
Input Threshold
Input Current
Enable Low Threshold
Enable Hysteresis
Enable Pullup Current
Charge Pump Voltage
G
0.8
0.8
V
V6 = 5V
V6 = 0.8V, Monitor V9
V6 = 0.8V, Monitor V9
V4 = 0V
V
+
= 5V, V6 = 2V, Pin 16 open, V13
→
5V
V
+
= 30V, V6 = 2V, Pin16 open, V13
→
30V
V
+
= V16 = 18V, V6 = 0.8V
V
+
= V16 = 18V, V6 = 0.8V, 100mA Pulsed Load
G
μ
A
V
V
μ
A
V
V
V
V
G
0.9
1.3
15
9
40
12
12
0.85
1.2
15
9
40
12
12
G
G
G
G
47
17
17
47
17
17
V9
V1
Bottom Gate “ON” Voltage
Boost Drive Voltage
G
G
Consult factory for Military grade parts.
ABSOLUTE
AXI
U
RATIU
W
Supply Voltage (Pins 2, 10).................................... 36V
Boost Voltage (Pin 16)............................................ 56V
Continuous Output Currents (Pins 1, 9, 15) ....... 100mA
Sense Voltages (Pins 11, 12)................... –5V to V
+
+5V
Top Source Voltage (Pin 13).................... –5V to V
+
+5V
Boost to Source Voltage (V16 – V13)....... –0.3V to 20V
Operating Temperature Range
LT1158C................................................ 0
°
C to 70
°
C
LT1158I ............................................ –40
°
C to 85
°
C
Junction Temperature (Note 1)
LT1158C..........................................................125
°
C
LT1158I ...........................................................150
°
C
Storage Temperature Range................ –65
°
C to 150
°
C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec.)................ 300
°
C
W
W
PACKAGE/ORDER I
FOR
ATIO
W
U
U
open, Gate Feedback pins connected to Gate Drive pins unless otherwise specified.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Test Circuit, T
A
= 25
°
C, V
+
= V16 = 12V, V11 = V12 = V13 = 0V, Pins 1 and 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1160CN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162 Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162CN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162CSW Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162IN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LT1158ISW 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LT1158ISW#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LT1158ISW#TR 功能描述:IC DRIVER PWR MOSFET N-CH 16SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LT1158ISW#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR 1/2BRDG NCH 16SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063
LT1158ISWPBF 制造商:Linear Technology 功能描述:MOSFET Driver 500mA Half-Bridge SOIC16W
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