參數(shù)資料
型號(hào)： LT1123CST#TRPBF
廠(chǎng)商： Linear Technology
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大小： 161K
描述： IC REG CTRLR SGL 5V SOT223
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： More Information on LDOs
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,000
類(lèi)型： 正，固定式
輸出數(shù)： 1
輸出電壓： 5V
電流 - 電源： 700µA
工作溫度： 0°C ~ 125°C
封裝/外殼： TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SOT-223
包裝： 帶卷 (TR)
6
LT1123
1123fb
Dropout Voltage
DRIVE CURRENT
OUTPUT CURRENT
TYP
MAX
20mA
1A
0.16V
0.3V
50mA
1A
0.13V
0.25V
2A
0.25V
0.4V
120mA
1A
0.2V
0.35V
4A
0.45V
0.75V
Figure 3. Dropout Voltage vs Temperature
Figure 2. Maximum Dropout Voltage
Selecting R
D
In order to select R
D
 the user should first choose the value
of drive current that will give the required value of output
current. For circuits using the MJE1123 as a pass
0
0.75
1.0
4
LT1123 F02
0.50
0.25
1
2
3
0
OUTPUT CURRENT (A)
BASED ON
MJE1123 SPECS
I
DRIVE
 = 20mA
I
DRIVE
 = 120mA
I
DRIVE
 = 50mA
CASE TEMPERATURE (癈)
20
0.55
0.65
0.75
80
LT1123 F03
0.45
0.35
40
60
100
0.25
0.15
0.05
120
I
C
 = 4A, I
B
 = 0.12A
I
C
 = 2A, I
B
 = 0.05A
I
C
 = 1A, I
B
 = 0.02A
DROPOUT VOLTAGE
transistor this can be done using the graph of Dropout
Voltage vs Output Current (Figure 2). For example, 20mA
of drive current will guarantee a dropout voltage of 0.3V
at 1A of output current. For circuits using transistors
other than the MJE1123 the user must characterize the
transistor to determine the drive current requirements. In
general it is recommended that the user choose the
lowest value of drive current that will satisfy the output
current requirements. This will minimize the stress on
circuit components during overload conditions.
Figure 4 can be used to select the value of R
D
 based on the
required drive current and the minimum input voltage.
Curves are shown for 20mA, 50mA and 120mA drive
current corresponding to the specified base drive currents
for the MJE1123. The data for the curves was generated
using the following formula:
R
D
 = (V
IN
  V
BE
  V
DRIVE
)/(I
DRIVE
 + 1mA)
where:
V
IN
 = the minimum input voltage to the circuit
V
BE
 = the maximum emitter/base voltage of the
PNP pass transistor
V
DRIVE
 = the maximum drive pin voltage of the
LT1123
I
DRIVE
 = the minimum drive current required.
The current through R
B
 is assumed to be 1mA
 Figure 4. R
D
 Resistor Value
V
IN
6
8
1k
LT1123 F04
10
100
7
15
14
13
12
11
10
9
I
DRIVE
 = 20mA
I
DRIVE
 = 120mA
I
DRIVE
 = 50mA
5
APPLICATIO S I FOR ATIO
U
U
U
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