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參數(shù)資料
| 型號： | LP62E16256EV-70LLT |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 256K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM |
| 中文描述： | 256 × 16位低電壓CMOS的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | LP62E16256EV-70LLT |
LP62E16256E-T Series
PRELIMINARY
(July, 2002, Version 0.0)
11
AMIC Technology, Inc.
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
0.2V to Vcc -0.2V
Input Rise And Fall Time
5 ns
Input and Output Timing Reference Levels
0.9V
Output Load
See Figures 1 and 2
30pF
* Including scope and jig.
CL
TTL
5pF
CL
TTL
Figure 1. Output Load
Figure 2. Output Load for tCLZ, tOLZ,
tCHZ, tOHZ, tWHZ, and tOW
Data Retention Characteristics (TA = -25
°C to 85°C)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
Conditions
VDR
VCC for Data Retention
1.2
2.2
V
CE
≥ VCC - 0.2V
ICCDR
Data Retention Current
-
5*
A
VCC = 1.2V,
CE
≥ VCC - 0.2V
VIN
≥ 0V
tCDR
Chip Disable to Data Retention Time
0
-
ns
tR
Operation Recovery Time
tRC
-
ns
See Retention Waveform
tVR
VCC Rising Time from Data Retention
Voltage to Operating Voltage
5
-
ms
* LP62E16256E-70LLT
ICCDR: max.
1
A at TA = 0°C to + 40°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| LP62S16128BU-55LLT | 128K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM |
| LP62S16128BU-70LLI | 128K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM |
| LP62S16128BU-70LLT | 128K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LP62E16512U-70LLT | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:512K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM |
| LP62P16128C-T | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:128K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM |
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