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參數(shù)資料
| 型號： | LLE16045X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | LLE16045X |
1997 Feb 18
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16045X
Fig.6 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V; f = 1650 MHz.
handbook, halfpage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2
0
4
MBD746
PL
(W)
ICQ
40 mA
10 mA
3 mA
Pi
Fig.7
Intermodulation distortion as a function of
average output power.
V
CE
= 24 V; f
1
= 1650 MHz; f
2
= 1650.2 MHz.
handbook, halfpage
MBD747
0
1
2
4
20
45
25
3
30
35
40
Po (av)
3 mA
ICQ
10 mA
40 mA
(dBc)
Input and optimum load impedances
V
CE
= 24 V; I
CQ
= 40 mA (see Figs 8 and 9); typical values at P
L
= P
L1
.
f
(GHz)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
1.50
1.55
1.60
1.65
1.70
1.75
1.80
6.8 + j14.2
7.9 + j15.1
9.2 + j16.0
10.9 + j16.8
13.0 + j17.5
15.5 + j17.8
18.6 + j17.6
6.1 + j8.3
5.8 + j7.8
5.6 + j7.3
5.4 + j6.9
5.2 + j6.4
5.0 + j6.0
4.8 + j5.5
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