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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LLE16045X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | LLE16045X |
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16045X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
i
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
input power
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
45
30
15
3
0.5
1
11
+150
200
235
V
V
V
V
A
W
W
°
C
°
C
°
C
f = 1.65 GHz; V
CE
= 24 V; class AB
T
mb
= 75
°
C
t
≤
10 s; note 1
T
mb
≤
75
°
C.
(I) Region of permissible DC operation.
(II) Permissible extension provided R
BE
≤
220
.
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
10
2
MBD744
10
1
10
2
10
1
VCE
IC
(A)
Ι
ΙΙ
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
5
0
MBD745
150
Tmb
o
Ptot
(W)
10
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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