- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄358792 > LH28F800BVB-TTL90 (Sharp Corporation) Flash Memory 8M (1M 】 8/512K 】 16) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH28F800BVB-TTL90 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Flash Memory 8M (1M 】 8/512K 】 16) |
| 中文描述： | 閃存800萬（100萬】8/512K】16） |
| 文件頁數(shù)： | 19/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 328K |
| 代理商： | LH28F800BVB-TTL90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁
8M (512K × 16, 1M × 8) Flash Memory
LH28F800SU
19
DC Characteristics
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, TA = 0°C to +70°C
3/5
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
I
IL
I
LO
Input Load Current
±1
μA
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
MAX.,
CE
0
, CE
1
, RP
= V
CC
±0.2 V
BYTE, WP, 3/5
= V
CC
±0.2 V or GND
±0.2 V
1
Output Leakage Current
±10
μA
1
I
CCS
V
CC
Standby Current
4
8
μA
1,4
1
4
mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CE
0
, CE
1
, RP
= V
IH
BYTE, WP, 3/5
= V
IH
or V
IL
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down
Current
1
5
μA
RP
= GND ±0.2 V
1
I
CCR1
V
CC
Read Current
30
35
mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: CE
0
, CE
1
= GND ±0.2 V
BYTE = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
TTL: CE
0
, CE
1
= V
IL,
BYTE = V
IL
or V
IH
Inputs = V
IL
or V
IH
f = 8 MHz, I
OUT
= 0 mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: CE
0
, CE
1
= GND ±0.2 V
BYTE = V
CC
±0.2 V or GND ±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
TTL: CE
0
, CE
1
= V
IL,
BYTE = V
IH
or V
IL
Inputs = V
IL
or V
IH
f = 4 MHz, I
OUT
= 0 mA
Word/Byte Write in Progress
1, 3, 4
I
CCR2
V
CC
Read Current
15
20
mA
1, 3, 4
I
CCW
I
CCE
V
CC
Write Current
V
CC
Block Erase Current
8
12
mA
1
6
12
mA
Block Erase in Progress
1
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
3
6
mA
CE
0
, CE
1
= V
IH
Block Erase Suspended
1, 2
I
PPS
V
PP
Standby Current
V
PP
Deep Power-Down
Current
±1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
1
I
PPD
0.2
5
μA
RP
= GND ±0.2 V
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F800BGBTL12 | Aluminum Polymer Radial Lead Capacitor; Capacitance: 1200uF; Voltage: 4V; Case Size: 8x9 mm; Packaging: Bulk |
| LH28F800BGBTL85 | Aluminum Polymer Radial Lead Capacitor; Capacitance: 1800uF; Voltage: 4V; Case Size: 8x12 mm; Packaging: Bulk |
| LH28F800BGHRTL12 | RES CURRENT SENSE .025 OHM 1W 1% |
| LH28F800BGHRTL85 | RES CURRENT SENSE .025 OHM 1W 1% |
| LH28F800BGRTL12 | 8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F800BVE-BTL90 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
| LH28F800BVE-TTL90 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8M Flash Memory |
| LH28F800BVE-TV85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F800BVHE-BTL90 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 90ns 48-Pin TSOP |
| LH28F800BVHE-BV85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。