- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369757 > LH28F800BJHG-PTTLZ2 Flash ROM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | LH28F800BJHG-PTTLZ2 |
| 英文描述： | Flash ROM |
| 中文描述： | 閃存ROM |
| 文件頁數(shù)： | 50/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 373K |
| 代理商： | LH28F800BJHG-PTTLZ2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁當前第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁
LH28F160S5-L/S5H-L
- 50 -
V
CC
= 5.0±0.25 V, 5.0±0.5 V, T
A
= 0 to +70°C or
–40 to +85°C
6.2.8 BLOCK ERASE, FULL CHIP ERASE, (MULTI) WORD/BYTE WRITE AND
BLOCK LOCK-BIT CONFIGURATION PERFORMANCE
(NOTE 3, 4)
NOTES :
1.
Typical values measured at T
A
= +25°C and nominal
voltages. Assumes corresponding block lock-bits are not
set. Subject to change based on device characterization.
2.
Excludes system-level overhead.
3.
These performance numbers are valid for all speed
versions.
Sampled, not 100% tested.
4.
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
V
CC
= 5.0±0.5 V
TYP.
(NOTE 1)
UNIT
MIN.
MAX.
t
WHQV1
t
EHQV1
t
WHQV1
t
EHQV1
Word/Byte Write Time (using W/B write, in word mode)
2
9.24
TBD
μs
Word/Byte Write Time (using W/B write, in byte mode)
2
9.24
TBD
μs
Word/Byte Write Time (using multi word/byte write)
Block Write Time (using W/B write, in word mode)
Block Write Time (using W/B write, in byte mode)
Block Write Time (using multi word/byte write)
2
2
2
2
2
TBD
3.7
7.5
1.5
μs
s
s
s
0.31
0.61
0.13
t
WHQV2
t
EHQV2
Block Erase Time
2
0.34
10
s
Full Chip Erase Time
10.9
TBD
s
t
WHQV3
t
EHQV3
t
WHQV4
t
EHQV4
t
WHRH1
t
EHRH1
t
WHRH2
t
EHRH2
Set Block Lock-Bit Time
2
9.24
TBD
μs
Clear Block Lock-Bits Time
2
0.34
TBD
s
Write Suspend Latency Time to Read
5.6
7
μs
Erase Suspend Latency Time to Read
9.4
13.1
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F800BVE-TV85 | x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGN-L10 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGN-L100 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGN-L70 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGR-L10 | x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F800BVB-TTL90 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Flash Memory 8M (1M 】 8/512K 】 16) |
| LH28F800BVE-BTL90 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
| LH28F800BVE-TTL90 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8M Flash Memory |
| LH28F800BVE-TV85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F800BVHE-BTL90 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 90ns 48-Pin TSOP |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。