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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH28F016SUHT |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16Mbit(1Mbit x 16, 2Mbit x 8) 5V Single Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆（容量為1Mbit × 16，2Mbit的× 8）5V單電壓閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | LH28F016SUHT |
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LH28F016SU
16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
18
DC Characteristics
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, T
A
= 0°C to +70°C
3/5
= Pin Set High for 3.3 V Operations
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
I
IL
I
LO
Input Load Current
±1
μA
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
MAX.,
CE
0
, CE
1
, RP
= V
CC
±0.2 V
BYTE, WP, 3/5
= V
CC
±0.2 V or GND
±0.2 V
1
Output Leakage Current
±10
μA
1
I
CCS
V
CC
Standby Current
4
8
μA
1,4
1
4
mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CE
0
, CE
1
, RP
= V
IH
BYTE, WP, 3/5
= V
IH
or V
IL
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down
Current
1
5
μA
RP
= GND ±0.2 V
1
I
CCR1
V
CC
Read Current
30
35
mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: CE
0
, CE
1
= GND ±0.2 V
BYTE = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
TTL: CE
0
, CE
1
= V
IL,
BYTE = V
IH
or V
IL
Inputs = V
IL
or V
IH
f = 8 MHz, I
OUT
= 0 mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: CE
0
, CE
1
= GND ±0.2 V
BYTE = V
CC
±0.2 V or GND ±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V
TTL: CE
0
, CE
1
= V
IL,
BYTE = V
IH
or V
IL
Inputs = V
IL
or V
IH
f = 4 MHz, I
OUT
= 0 mA
Word/Byte Write in Progress
1, 3, 4
I
CCR2
V
CC
Read Current
15
20
mA
1, 3, 4
I
CCW
I
CCE
V
CC
Write Current
V
CC
Block Erase Current
8
12
mA
1
6
12
mA
Block Erase in Progress
1
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
3
6
mA
CE
0
, CE
1
= V
IH
Block Erase Suspended
1, 2
I
PPS
V
PP
Standby Current
V
PP
Deep Power-Down
Current
±1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
1
I
PPD
0.2
5
μA
RP
= GND ±0.2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LH28F016SUR-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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| LH28F016SUT-10 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16M (1M x 16 , 2M x 8) Flash Memory |
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