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參數資料
| 型號： | LH28F004SU |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kbit x 8, 256 Kbit x 16) 5V Single Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kbit × 8，256千位× 16）5V單電壓閃存 |
| 文件頁數： | 20/31頁 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | LH28F004SU |
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LH28F004SU-LC
4M (512K × 8) Flash Memory
20
DC Characteristics
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, T
A
= 0°C to +70°C
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
I
IL
I
LO
Input Load Current
±1
μA
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
MAX., V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
MAX.,
CE
, RP
= V
CC
±0.2 V
V
CC
= V
CC
MAX.,
CE
, RP
= V
IH
1
Output Leakage Current
±10
μA
1
I
CCS
V
CC
Standby Current
4
8
μA
1,4
0.3
4
mA
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down
Current
0.2
5
μA
RP
= GND ±0.2 V
1
I
CCR1
V
CC
Read Current
35
mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: CE
= GND ±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V,
TTL: CE
= V
IL,
Inputs = V
IL
or V
IH
,
f = 8 MHz, I
OUT
= 0 mA
V
CC
= V
CC
MAX.,
CMOS: CE
= GND ±0.2 V
Inputs = GND ±0.2 V or V
CC
±0.2 V,
TTL: CE
= V
IL,
Inputs = V
IL
or V
IH
,
f = 4 MHz, I
OUT
= 0 mA
Byte/Two-Byte Serial Write
in Progress
1, 3, 4
I
CCR2
V
CC
Read Current
9
20
mA
1, 3, 4
I
CCW
V
CC
Write Current
5
12
mA
1
I
CCE
V
CC
Block Erase Current
6
12
mA
Block Erase in Progress
1
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
3
6
mA
CE
= V
IH
Block Erase Suspended
1, 2
I
PPS
V
PP
Standby Current
V
PP
Deep Power-Down
Current
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
1
I
PPD
0.2
5
μA
RP
= GND ±0.2 V
1
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