參數(shù)資料
型號(hào)： LFXP6E-5FN256C
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁數(shù)： 98/397頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 5.8KLUTS 256FPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： XP
邏輯元件/單元數(shù)： 6000
RAM 位總計(jì)： 73728
輸入/輸出數(shù)： 188
電源電壓： 1.14 V ~ 1.26 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 85°C
封裝/外殼： 256-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 256-FPBGA（17x17）
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9-22
Memory Usage Guide
Lattice Semiconductor
LatticeECP/EC and LatticeXP Devices
Pseudo Dual Port RAM (RAM_DP) – EBR-Based
The EBR blocks in the LatticeECP/EC and LatticeXP devices can be configured as Pseudo-Dual Port RAM or
RAM_DP. IPexpress allows users to generate the Verilog-HDL or VHDL along with an EDIF netlist for the memory
size as per design requirements.
IPexpress generates the memory module, as shown in Figure 9-23.
Figure 9-23. Pseudo Dual Port Memory Module Generated by IPexpress
The generated module makes use of these EBR blocks or primitives. For memory sizes smaller than an EBR block,
the module will be created in one EBR block. If the specified memory is larger than one EBR block, multiple EBR
block can be cascaded, in depth or width (as required to create these sizes).
The basic Pseudo Dual Port memory primitive for the LatticeECP/EC and LatticeXP devices is shown in Figure 9-
Figure 9-24. Pseudo Dual Port RAM primitive or RAM_DP for LatticeECP/EC and LatticeXP Devices
In the Pseudo Dual Port RAM mode, the input data and address for the ports are registered at the input of the
memory array. The output data of the memory is optionally registered at the output.
The various ports and their definitions for the Single Port Memory are included in Table 9-7. The table lists the cor-
responding ports for the module generated by IPexpress and for the EBR RAM_DP primitive.
RAM_DP
EBR based Pseudo
Dual Port Memory
WrClock
WrClockEn
Reset
WE
WrAddress
Data
RdClock
RdClockEn
RdAddress
Q
ADW[x:0]
DI[y:0]
CLKW
CEW
RST
WE
CS[2:0]
EBR
ADR[x:0]
CLKR
CER
DO[y:0]
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LFXP6E-5TN144C 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 5.8K LUTs 100 IO 1.2 V -5 Spd RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
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