參數(shù)資料
型號(hào)： LFE18500X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, FO-231, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： LFE18500X
December 1994
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN silicon planar epitaxial
microwave power transistor
LFE18500X
Fig.7 Input impedance as a function of frequency; typical values at P
L
= P
L1
.
V
CE
= 24 V; Z
o
= 10
; I
CQ
= 0.2 A.
handbook, full pagewidth
MLC432
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
0.2
0.5
10
5
2
1.8 GHz
1.85 GHz
Zi
1.9 GHz
Fig.8 Optimum load impedance as a function of frequency; typical values at P
L
= P
L1
.
V
CE
= 24 V; Z
o
= 10
; I
CQ
= 0.2 A.
handbook, full pagewidth
MLC433
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
0.2
0.5
10
5
2
1.85 GHz
1.8 GHz
ZL
1.9 GHz
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