參數(shù)資料
型號： LFE18500X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, FO-231, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： LFE18500X
December 1994
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN silicon planar epitaxial
microwave power transistor
LFE18500X
Fig.5 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V; f = 1850 MHz.
handbook, halfpage
0
4
8
12
16
20
0
40
MLC431
PL
(W)
ICQ
400 mA
200 mA
100 mA
Pi
Fig.6
Intermodulation distortion as a function
of average output power.
V
CE
= 24 V; f
1
= 1849.9 MHz; f
2
= 1850.1 MHz.
handbook, halfpage
MLC726
0
10
20
40
30
60
40
30
50
Po (av)
CQ
200 mA
100 mA
400 mA
(dBc)
Input and optimum load impedances
V
CE
= 24 V; I
CQ
= 0.2 A; Z
o
= 10
; typical values at P
L
= P
L1
(see Figs 7 and 8).
f
(GHz)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
1.80
1.85
1.90
5.0 + j4.9
5.5 + j2.0
3.7 + j0.6
2.0
j2.0
1.8
j1.2
1.6
j1.6
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