參數資料
型號： LFE15600X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-448A, 3 PIN
文件頁數： 3/12頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： LFE15600X
1997 Feb 19
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LFE15600X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
i
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
input power
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 56
open base
open collector
45
30
22
3
12
20
80
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
W
°
C
°
C
°
C
f = 1.5 GHz; V
CE
= 24 V; class AB
T
mb
= 75
°
C
t
≤
10 s; note 1
Fig.2 Power derating curve.
0
120
80
40
0
100
200
MBD390
Ptot
(W)
Tmb
o
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