參數(shù)資料
型號： LET9060S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
中文描述： 射頻功率晶體管的LDMOS增強(qiáng)技術(shù)在塑料包裝
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： LET9060S
LET9060S
TYPICAL PERFORMANCE
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Ouput Power Vs Drain Voltage
0
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Vdd (V)
P
Pin = 2.5 W
Idq = 250 mA
Efficiency Vs Output Power
0
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50
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0
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Pout (W)
N
Vdd = 26 V
Idq = 250 mA
Power Gain Vs
Output Power
1
10
100
1000
0
2
4
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14 16 18 20 22 24 26 28 30
Vds (V)
C
Coss
Ciss
Crss
f = 1MHz
Power Gain Vs
Output Power
12
13
14
15
16
17
18
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20
1
10
100
Pout (W)
G
Vdd = 26 V
Idq = 250 mA
Idq = 400 mA
Idq = 600 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LET9085 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET9130 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LF120 Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器)
LF00AB Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器)
LF33 Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器)
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參數(shù)描述
LET9060STR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060TR 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9070CB 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 80V 12A 3-Pin Case M-243 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER R.F. - Trays 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSF RF N CH 80V 12A M243 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz
LET9085 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET9120 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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