參數(shù)資料
型號(hào): LET9006
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: 528830494
中文描述: 射頻功率晶體管的LDMOS增強(qiáng)技術(shù)在塑料包裝
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 40K
代理商: LET9006
3/4
LET9006
PowerFLAT
MECHANICAL DATA
mm
TYP.
MAX
0.90
1.00
0.02
0.05
0.24
0.25
0.35
0.51
0.58
0.71
0.79
5.00
0.30
5.00
2.57
2.64
1.27
3.37
0.74
0.21
Inch
TYP.
0.035
0.001
0.009
0.01
0.020
0.028
0.197
0.011
0.197
0.101
0.050
0.132
0.03
0.008
MIN.
MIN.
MAX
0.039
0.002
A
A1
A3
AA
b
c
D
d
E
E2
e
f
g
h
0.15
0.43
0.64
0.006
0.017
0.025
0.014
0.023
0.031
2.49
0.098
0.104
DIM.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LET9045C 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9045C-01 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER TRANSISTORTHE LDMOST FAMILY - Rail/Tube
LET9045F 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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