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參數(shù)資料
| 型號： | LE28DW1621T |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | 16 Megabit FlashBank Memory |
| 中文描述： | 16兆位內(nèi)存FlashBank |
| 文件頁數(shù)： | 12/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | LE28DW1621T |
16 Megabit FlashBank Memory
LE28DW1621T-80T (Draft3)
12
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company 1-1-1 Sakata Oizumi Gunma Japan
R.1.20(4/27/2000) No.xxxx-12/20
Figure 4-2: CE# Controlled Word Program Cycle Timing Diagram
Figure 5-1: Chip Erase Cycle Timing Diagram
Exsample for Word Mode, in Byte Mode A-1=Address Input
Exsample for Word Mode, in Byte Mode A-1= Don't care
28DW1621TS\F4-2_E
ADDRESS A19-A0
DQ15-DQ0
TDH
TWPH
TDS
TWP
TAH
TAS
TWEH
TWES
WE#
SW0
SW1
SW2
5555
2AAA
5555
ADDR
AA
55
A0
DATA
INTERNAL PROGRAM OPERATION STARTS
TBP
WORD
(ADDR/DATA)
OE#
CE#
28DW1621TS\F5-1_E
ADDRESS A19-A0
DQ15-DQ0
WE#
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
5555
2AAA
2AAA
5555
5555
55
10
55
AA
80
AA
5555+B
AX
OE#
CE#
SIX-BYTE CODE FOR CHIP ERASE
TBE
TWP
TAH
TAS
TWPH
TDH
TDS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LE28DW8102T | 8 Megabit FlashBank Memory LE28DW8102T |
| LE28DW8102T-90 | EEPROM |
| LE28F4001C | 4M-Bit (512k 】 8) Flash EEPROM |
| LE28F4001CTS | 4M-Bit (512k 】 8) Flash EEPROM |
| LE28F4001CTS-12 | 4M-Bit (512k 】 8) Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LE28DW1621T-80T | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:16 Megabit FlashBank Memory |
| LE28DW3215AT-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| LE28DW8102T | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:8 Megabit FlashBank Memory LE28DW8102T |
| LE28DW8102T-90 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:EEPROM |
| LE28F1101T-40 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1M(65536words】16bits) Flash EEPROM |
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