參數(shù)資料
型號： LDT918T
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 15V的五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|蓋
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： LDT918T
Micro-LID Transistors
LDT918 and LDT918T
Electrical Characteristics (25
°
C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Collector-Base Breakdown
Ic = 10 uA, Ie = 0
BVcbo
30
--
--
V
Collector-Emitter Breakdown*
Ib = 0, Ic = 10 mA
BVceo
15
--
--
V
Emitter-Base Breakdown
Ic = 0, Ie = 10 uA
BVebo
3
--
--
V
Collector-Base Cutoff Current
Vcb = 15 V
Icbo
--
--
10
nA
DC Forward Current Gain*
Ic = 3 mA, Vce = 1 V
Ic = 10 mA, Vce = 10 V
Hfe
--
--
20
200
--
20
Collector-Emitter Saturation
Ic = 10 mA, Ib = 1 mA
Vce (sat)
--
--
.4
V
Base-Emitter Saturation
Ic = 10 mA, Ib = 1 mA
Vbe (sat)
--
--
1
V
Collector Capacitance
Vcb = 10 V, Ie = 0
f = 1 MHz
Cobo
--
--
1.7 pF
* Pulse test, pulse width < 300 usec, duty cycle < 2%
3/3 January 1997
www.microlid.com sales@microlid.com
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PDF描述
LDTBFR90 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | LID
LDTBFR90T TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | LID
LDTBFR91 TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 35MA I(C) | LID
LDTBFR91T TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 35MA I(C) | LID
LDTBFR96 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 75MA I(C) | LID
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參數(shù)描述
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LDTA113ZLT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Digital transistors (built-in resistors)
LDTA114EET1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Digital transistors (built-in resistors)
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