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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LDT918T |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 15V的五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|蓋 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | LDT918T |
Micro-LID Transistors
LDT918 and LDT918T
Description:
The LDT918 (untinned) and LDT918T (tinned) are NPN silicon transistors in very
small, rugged, surface mount, 4-post ceramic packages (Micro International
manufactured package p/n 4-075-1). The LDT918 and LDT918T meet the
general specifications of the 2N918 transistor. The 4-075-1 Micro-LID package is
a 4-post, leadless ceramic carrier which can be provided with gold metallized or
pre-tinned lands, and is approved for military, medical implant, sensor, and high
reliability applications. The LDT918 and LDT918T can be provided with special
feature options such as additional temperature cycling and screening.
Maximum Ratings:
Parameter
Symbol
Rating
Collector-Base Voltage
Vcbo
30 V
Collector-Emitter Voltage
Vceo
15 V
Emitter-Base Voltage
Vebo
3 V
Collector Current
Ic
50 mA
Total Dissipation
Pt
400 mW
Operating Junction Temperature
Tj
150
°
C
Storage Temperature
Tstg
-65
°
C to 150
°
C
Operating Temperature
Toper
-55
°
C to 125
°
C
1/3 January 1997
www.microlid.com sales@microlid.com
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PDF描述 |
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| LDTBFR91 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 35MA I(C) | LID |
| LDTBFR91T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 35MA I(C) | LID |
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參數(shù)描述 |
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