參數(shù)資料
型號： LDT3019
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LID
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|蓋
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： LDT3019
Micro-LID Transistors
LDT3019 and LDT3019T
Electrical Characteristics (25
°
C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Collector-Base Breakdown
Ic = 10 uA, Ie = 0
BVcbo
140
--
--
V
Collector-Emitter Breakdown*
Ib = 0, Ic = 10 mA
BVceo
80
--
--
V
Emitter-Base Breakdown
Ic = 0, Ie = 10 uA
BVebo
7
--
--
V
Collector-Base Cutoff Current
Vcb = 90 V
Icbo
--
--
10
nA
Emitter-Base Cutoff Current
Veb = 3 V
Iebo
--
--
10
nA
DC Forward Current Gain*
Ic = 150 mA, Vce = 10 V
Hfe
100
--
300
Collector-Emitter Saturation
Ic = 100 mA, Ib = 10 mA
Vce (sat)
--
--
.25
V
Base-Emitter Saturation
Ic =100 mA, Ib = 10 mA
Vbe (sat)
--
--
1
V
Collector Capacitance
Vcb = 10 V, Ie = 0
f = 1 MHz
Cobo
--
--
20
pF
* Pulse test, pulse width < 300 usec, duty cycle < 2%
3/3 January 1997
www.microlid.com sales@microlid.com
相關PDF資料
PDF描述
LDT3019T TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LID
LDT3251A TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LID
LDT3251AT TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LID
LDT3906 TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LID
LDT3906T TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LID
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參數(shù)描述
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LDT565630T-001 功能描述:TRANSFORMER 6.0UH 1.50A PHOTO RoHS:是 類別:變壓器 >> 專用 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電感:- 適用于相關產(chǎn)品:- 尺寸/尺寸:12.50mm L x 9.60mm W 高度 - 座高（最大）:7.60mm 安裝類型:表面貼裝 其它名稱:MT7214CT
LDT565630T-002 功能描述:TRANSFORMER 14.5UH 1.10A PHOTO RoHS:是 類別:變壓器 >> 專用 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電感:- 適用于相關產(chǎn)品:- 尺寸/尺寸:12.50mm L x 9.60mm W 高度 - 座高（最大）:7.60mm 安裝類型:表面貼裝 其它名稱:MT7214CT
LDT565630T-003 功能描述:TRANSFORMER 10.5UH 1.00A PHOTO RoHS:是 類別:變壓器 >> 專用 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電感:- 適用于相關產(chǎn)品:- 尺寸/尺寸:12.50mm L x 9.60mm W 高度 - 座高（最大）:7.60mm 安裝類型:表面貼裝 其它名稱:MT7214CT
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