參數(shù)資料
型號: LDT2857T
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 15V的五(巴西)總裁| 50mA的一(c)|蓋
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 65K
代理商: LDT2857T
Micro-LID Transistors
LDT2857 and LDT2857T
______________________________________________________________________________________
Outline / Schematic:
Dimensions / Marking:
Length
Width
Height
.075
′′
+ .003
′′
.040
′′
+ .003
′′
.035
′′
+ .003
′′
Post 1 (Emitter)
Post 2 (Base)
Post 3,4 (Collector)
.015
′′
x .010
′′
typ
.015
′′
x .010
′′
typ
.015
′′
x .012
′′
typ
Marking on back of package : Gray Dot over Emitter and Red Dot in Center
(post down configuration)
Standard In-Process Screening Requirements:
Semiconductor die and Micro-LID package visual inspection
Wire pull test
24 hour stabilization bake at 150
°
C
10 temperature cycles from –55
°
C to 125
°
C
100% electrical test of dc characteristics at 25
°
C
________________________________________________________________
Final visual inspection
2/3 January 1997
.075
.040
4
3
2
1
.035
SUBSTRATE / CIRCUIT BOARD
1
2
3, 4
TOP VIEW
END VIEW
SIDE VIEW
www.microlid.com sales@microlid.com
相關PDF資料
PDF描述
LDT2907A TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LID
LDT2907AT TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LID
LDT3019 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LID
LDT3019T TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LID
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參數(shù)描述
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