參數(shù)資料
型號: LC35W1000BM
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM
中文描述: 異步硅門100萬(131072字× 8位)的SRAM
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 165K
代理商: LC35W1000BM
No. 6624-7/9
LC35W1000BM, BTS-70U/10U
Write cycle (6) (WE = control) *6
*
5
*
4
*
4
*
3
A13492
Write cycle (2) (CE1 = control) *6
*
5
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4
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4
*
3
A13493
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LC35W1000BTS-10U Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM
LC35W1000BTS-70U Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM
LC35W1000BM-10U
LC35W1000BM-70U
LC35W1000BTS
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參數(shù)描述
LC35W1000BM-10U 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:
LC35W1000BM-70U 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:
LC35W1000BTS 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:
LC35W1000BTS-10U 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM
LC35W1000BTS-70U 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM