參數(shù)資料
型號： LAMXO640C-3FTN256E
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁數(shù)： 27/77頁
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描述： IC FPGA 640LUTS 256TQFP
標準包裝： 90
系列： LA-MachXO
可編程類型： 系統(tǒng)內(nèi)可編程
最大延遲時間 tpd(1)： 4.9ns
電壓電源 - 內(nèi)部： 1.71 V ~ 3.465 V
宏單元數(shù)： 320
輸入/輸出數(shù)： 159
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 256-LBGA
供應商設備封裝： 256-FTBGA（17x17）
包裝： 托盤
3-7
DC and Switching Characteristics
Lattice Semiconductor
LA-MachXO Automotive Family Data Sheet
sysIO Single-Ended DC Electrical Characteristics
Input/Output
Standard
VIL
VIH
VOL Max.
(V)
VOH Min.
(V)
IOL
1
(mA)
IOH
1
(mA)
Min. (V)
Max. (V)
Min. (V)
Max. (V)
LVCMOS 3.3
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVTTL
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
2.4
16
-16
0.4
VCCIO - 0.4
12, 8, 4
-12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 2.5
-0.3
0.7
1.7
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.8
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
16, 12, 8, 4
-14, -12, -8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.5
-0.3
0.35VCCIO
0.65VCCIO
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
8, 4
-8, -4
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.2
(“C” Version)
-0.3
0.42
0.78
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
6, 2
-6, -2
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 1.2
(“E” Version)
-0.3
0.35VCC
0.65VCC
3.6
0.4
VCCIO - 0.4
6, 2
-6, -2
0.2
VCCIO - 0.2
0.1
-0.1
PCI
-0.3
0.3VCCIO
0.5VCCIO
3.6
0.1VCCIO
0.9VCCIO
1.5
-0.5
1. The average DC current drawn by I/Os between GND connections, or between the last GND in an I/O Bank and the end of an I/O Bank, as
shown in the logic signal connections table shall not exceed n * 8mA. Where n is the number of I/Os between Bank GND connections or
between the last GND in a Bank and the end of a Bank.
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