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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | L9013LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors NPN Silicon |
| 中文描述： | 通用晶體管NPN硅 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | L9013LT1 |
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
=50mA, V
CE
=1V)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mA,I
B
=50mA)
H
fe
100
-
600
V
CE(S)
-
-
0.6
V
NOTE: *
P
Q
R
S
H
FE
100~200
150~300
200~400
300~600
L
901
3
*LT1
–
2
/2
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0180
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0236
0.0401
0.0984
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.45
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.60
1.02
2.50
0.60
MILLIMETERS
INCHES
PIN 1.
BASE
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
SOLDER PLATING.
2. LEAD THICKNESS SPECIFIED PER L / F DRAWING WITH
1. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS
NOTES:
SOT-23 (TO-236AB)
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L9013*LT1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L9013QLT1 | General Purpose Transistors NPN Silicon |
| L9014LT1 | General Purpose Transistors NPN Silicon |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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