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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | L9012LT1G |
| 廠商： | 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| 中文描述： | 通用硅晶體管進(jìn)步黨 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | L9012LT1G |
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
=50mA, V
CE
=1V)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mA,I
B
=50mA)
H
fe
100
-
600
V
CE(S)
-
-
0.6
V
NOTE:
*
P
Q
R
S
H
FE
100~200
150~300
200~400
300~600
L
9012*LT1
–
2
/2
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0180
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0236
0.0401
0.0984
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.45
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.60
1.02
2.50
0.60
MILLIMETERS
INCHES
PIN 1.
BASE
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
SOLDER PLATING.
2. LEAD THICKNESS SPECIFIED PER L / F DRAWING WITH
1. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS
NOTES:
SOT-23 (TO-236AB)
L9012*LT1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L9012PLT1 | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| L9012QLT1 | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| L9013LT1 | General Purpose Transistors NPN Silicon |
| L9013QLT1 | General Purpose Transistors NPN Silicon |
| L9014LT1 | General Purpose Transistors NPN Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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