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參數(shù)資料
| 型號： | L652DU12RK |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
| 中文描述： | 128兆位（16米× 8位）的CMOS 3.0伏特，只有統(tǒng)一部門閃存與VersatileIO⑩控制記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 51/54頁 |
| 文件大小： | 492K |
| 代理商： | L652DU12RK |
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May 5, 2006 24961A5
Am29LV652D
49
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE# or CE2#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
Figure 23.
Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L652DU90RF | 128 Megabit (16 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileIO⑩ Control |
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參數(shù)描述 |
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