參數(shù)資料
型號： L2N3904
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors NPN Silicon
中文描述： 通用晶體管NPN硅
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 140K
代理商： L2N3904
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2N3904-4/6
L2N3904
TYPICAL AUDIO SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(V
CE
= 5.0 Vdc, T
A
= 25
°
C, Bandwidth = 1.0 Hz)
Figure 7.
f, FREQUENCY (kHz)
4
6
8
10
12
2
0.1
Figure 8.
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k OHMS)
0
N
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
0
100
4
6
8
10
12
2
14
0.1
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
100
N
f = 1.0 kHz
I
C
= 1.0 mA
I
C
= 0.5 mA
I
C
= 50 A
I
C
= 100 A
SOURCE RESISTANCE = 200
I
C
= 1.0 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
I
C
= 0.5 mA
SOURCE RESISTANCE = 500
I
C
= 100 A
SOURCE RESISTANCE = 1.0 k
I
C
= 50 A
Figure 9. Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
Figure 10. Output Admittance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
f
h
o
Figure 11. Input Impedance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. Voltage Feedback Ratio
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
50
5
10
20
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
0.5
10
0.3
0.5
3.0
0.7
2.0
5.0
10
20
1.0
0.2
0.5
h
r
h
i
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
2
1
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
h PARAMETERS
(V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz, T
A
= 25
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
L2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon
L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2N7002LT1G Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2N7003LT1 Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2SA1036KLT1 Medium Power Transistor(-32V, -0.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
L2N3RP 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N5 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N5401 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Amplifier Transistors PNP Silicon
L2N5RP 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N60 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:600V N-Channel MOSFET Low gane charge
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*