參數(shù)資料
型號(hào)： L2N3904
廠商： 樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors NPN Silicon
中文描述： 通用晶體管NPN硅
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 140K
代理商： L2N3904
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2N3904
L2N3904-1/6
NPN Silicon
L2N3904
General Purpose Transistors
TO-92
123
2N3904
Y
WW
= Year
= Work Week
YWW
MARKING DIAGRAM
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
CollectorEmitter Voltage
V
CEO
40
Vdc
CollectorBase Voltage
V
CBO
60
Vdc
EmitterBase Voltage
V
EBO
6.0
Vdc
Collector Current Continuous
I
C
200
mAdc
Total Device Dissipation
@ T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
1.5
12
W
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur
and reliability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
(Note 1)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance,
JunctiontoAmbient
R
JA
200
°
C/W
Thermal Resistance,
JunctiontoCase
R
JC
83.3
°
C/W
1. Indicates Data in addition to JEDEC Requirements.
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
L2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon
L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2N7002LT1G Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2N7003LT1 Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2SA1036KLT1 Medium Power Transistor(-32V, -0.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
L2N3RP 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N5 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N5401 制造商:LRC 制造商全稱(chēng):Leshan Radio Company 功能描述:Amplifier Transistors PNP Silicon
L2N5RP 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N60 制造商:LRC 制造商全稱(chēng):Leshan Radio Company 功能描述:600V N-Channel MOSFET Low gane charge
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