參數(shù)資料
型號(hào)： KST06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Driver Transistor
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： KST06
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
* Collector-Emitter Breakdown Voltage
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Marking Code
Parameter
Value
Units
Collecto-Base Voltage
: KST05
: KST06
60
80
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KST05
: KST06
60
80
4
500
350
150
357
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
STG
R
TH
(j-a)
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Storage Temperature
Thermal Resistance junction to Ambient
mA
mW
°
C
°
C/W
Test Condition
Min.
Max.
Units
: KST05
: KST06
I
C
=1mA, I
B
=0
60
80
4
V
V
V
BV
EBO
I
CBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
CB
=80V, I
E
=0
: KST05
: KST06
0.1
0.1
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
I
CEO
h
FE
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
V
CE
=60V, I
B
=0
V
CE
=1V, I
C
=10mA
V
CE
=1V, I
C
=100mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
=2V, I
C
=100mA, f=100MHz
50
50
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
0.25
1.2
V
V
100
MHz
Type
Mark
KST05
1H
KST06
1G
KST05/06
Driver Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
= KST05: 60V
KST06: 80V
Collector Power Dissipation: P
C
(max) = 350mW
Complement to KST55/56
1H
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
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KST06MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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