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參數(shù)資料
| 型號： | KST2484 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Low Noise Transistor |
| 中文描述： | 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | KST2484 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
STG
Storage Temperature
Refer to KSP5088 for graphs
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
Parameter
Value
60
60
6
50
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
Test Condition
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=45V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
I
C
=1mA, I
B
=0.1mA
I
C
=1mA, V
CE
=5V
V
CB
=5.0V, I
E
=0, f=1MHz,
I
C
=10
μ
A, V
CE
=5V
R
S
=10K
, f=1KHz
Min.
60
60
5
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
10
10
250
800
0.35
0.95
6
3
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
C
ob
NF
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Output Capacitance
Noise Figure
V
V
pF
dB
KST2484
Low Noise Transistor
1U
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| KST63 | Darlington Transistor |
| KST64 | Darlington Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KST2484MTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KST24MTF | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| KST24MTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KST-2727 | 制造商:Molex 功能描述: |
| KST-2755 | 制造商:Molex 功能描述: |
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