參數(shù)資料
型號： KSP2907ACBU
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 111K
代理商： KSP2907ACBU
3
www.fairchildsemi.com
KSP2907A Rev. E
K
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Output Capacitance
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
-1
-10
-100
-1000
10
100
1000
V
CE
= -10V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
I
C
= 10 I
B
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
0.1
1
10
100
I
E
= 0
f = 1MHz
C
o
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
-1
-10
-100
-1000
10
100
1000
V
CE
= -20V
f
T
[
C
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSP2907AIUTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP2907ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP2907ATF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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