參數(shù)資料
型號： KSP12
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Darlington Transistor
中文描述： NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： KSP12
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
CES
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
Parameter
Value
20
10
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
B
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
CE
=15V, I
B
=0
V
EC
=10V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=10mA
I
C
=10mA, I
B
=0.01mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
Min.
20
Typ
.
Max.
Units
V
nA
nA
nA
100
100
100
20K
1
V
V
1.4
KSP12
Darlington Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CES
=20V
Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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