參數(shù)資料
型號： KSP14
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Darlington Transistor
中文描述： 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： KSP14
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CES
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
* Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
30
30
10
500
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
B
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=10V, I
C
=0
Min.
30
Max.
Units
V
nA
nA
100
100
: KSP13
: KSP14
: KSP13
: KSP14
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
5K
10K
10K
20K
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
I
C
=100mA, I
B
=0.1mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
f=100MHz
1.5
2.0
V
V
125
MHz
KSP13/14
Darlington Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CES
=30V
Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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