型號: | KSP05 |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
中文描述: | npn型外延硅晶體管 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 315K |
代理商: | KSP05 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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KSP06 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
KSP05 | Amplifier Transistor |
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KSP2222 | General Purpose Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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KSP05BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KSP05J | 制造商:OTAX 制造商全稱:OTAX 功能描述:DIP Switch |
KSP05L | 制造商:OTAX 制造商全稱:OTAX 功能描述:DIP Switch |
KSP05S | 制造商:OTAX 制造商全稱:OTAX 功能描述:DIP Switch |
KSP05TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |