型號: | KSP06 |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
中文描述: | npn型外延硅晶體管 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 315K |
代理商: | KSP06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
KSP05 | Amplifier Transistor |
KSP06 | Amplifier Transistor |
KSP10 | VHF/UHF transistor |
KSP2222 | General Purpose Transistor |
KSP2907ABU | PNP General Purpose Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
KSP06B12-10P | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:KSP06B12-10P - Bulk |
KSP06BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KSP06E22-55S | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:KSP06E22-55S - Bulk |
KSP06E8-2S | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:KSP06E8-2S - Bulk |
KSP06E8-3S | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:KSP06E8-3S - Bulk |