參數(shù)資料
型號: KSH3055I
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
中文描述: 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝: IPAK-3
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 59K
代理商: KSH3055I
Package Dimensions
K
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A4, October 2002
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
±
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0
±
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±
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±
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±
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9
±
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6
±
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±
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M
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1.02
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(
(
(
(
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2.30TYP
[2.30
±
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2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
D-PAK
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSH3055ITU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSH3055TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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